两者均聚焦于导电银胶/纳米银烧结材料的开发，涉及导热性、剪切强度、烧结工艺参数优化等核心指标。用户需求关注SiC功率器件的封装可靠性，而该需求直接针对芯片粘贴导电银胶的烧结性能提升，技术路径高度重叠。

均围绕纳米银烧结技术展开，涉及烧结工艺优化（如高速烧结、检测方法改进）及高性能器件应用。用户需求关注烧结时间长、检测方法缺失等问题，而该需求提出原位监测和高速烧结方案，技术互补性强。

均涉及第三代半导体（SiC）的热管理材料开发，关注高导热性、热膨胀匹配等性能指标。用户需求强调SiC封装技术突破，而该需求聚焦碳化硅基复合材料的散热结构优化，技术关联紧密。

均涉及第三代半导体器件的测试与可靠性需求。用户需求关注高温大功率器件的封装可靠性，而该需求针对第三代半导体测试系统的高精度升级，技术场景存在交叉。